Мой регион: Россия

S29JL064J55TFI000, Флеш память, Параллельная NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит / 4М x 16бит, CFI, Параллельный, TSOP

PartNumber: S29JL064J55TFI000
Ном. номер: 8337162580
Производитель: Cypress Semiconductor
S29JL064J55TFI000, Флеш память, Параллельная NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит / 4М x 16бит, CFI, Параллельный, TSOP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
500 руб.
493 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 454 руб.
от 25 шт. — 450 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
398 руб. 3-4 недели, 384 шт. 96 шт. 96 шт.
от 192 шт. — 394 руб.
от 384 шт. — 384 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The S29JL064J55TFI000 is a 64MB CMOS simultaneous Read/Write Flash Memory organized as 4194304 words of 16-bit each or 8388608 bytes of 8-bit each. Word mode data appears on DQ15-DQ0, byte mode data appears on DQ7-DQ0. The device is designed to be programmed in-system with the standard 3VCC supply and can also be programmed in standard EPROM programmers. The device is available with an access time of 55ns. Standard control pins - chip enable (CE#), write enable (WE#) and output enable (OE#) - control normal read and write operations and avoid bus contention issues. The device requires only a single 3V power supply for both read and write functions. Internally generated and regulated voltages are provided for the program and erase operations.

• Standard configuration
• Data can be continuously read from one bank while executing erase/program functions in another bank
• Zero latency between read and write operations
• Flexible bank architecture
• Read may occur in any of the three banks not being programmed or erased
• Four banks may be grouped by customer to achieve desired bank divisions
• Top and bottom boot sectors in the same device
• Any combination of sectors can be erased
• Manufactured on 0.11µm process technology
• Secured silicon region - Extra 256-byte sector
• Sophisticated power management circuits reduce power consumed during inactive periods to nearly zero
• Compatible with JEDEC standards
• Pinout and software compatible with single-power-supply flash standard
• High performance
• Program time - 7µs/word typical using accelerated programming function
• Ultralow power consumption
• Cycling endurance - 1million cycles per sector typical
• Data retention - 20 years typical
• Supports common flash memory interface
• Erase suspend/erase resume

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
Тип Интерфейса ИС
Время Доступа
55нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Размер Памяти
Конфигурация Флэш-памяти
Тип Flash Памяти

Дополнительная информация

Datasheet S29JL064J55TFI000

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.