S2SC4617G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 25 шт. —
18 руб.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 352 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SSP SC75 GP XSTR 50V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 125 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SC4617 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-75-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Power Dissipation | 125мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-75 |
| Частота Перехода ft | 180МГц |
Техническая документация
Datasheet S2SC4617G
pdf, 52 КБ
Datasheet S2SC4617G
pdf, 55 КБ
