SBC857BLT1G

SBC857BLT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.74 руб.
от 100 шт.35 руб.
от 500 шт.26.97 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8008459555

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 220 at-2 mA, -5 V
DC Current Gain hFE Max: 475 at-2 mA, -5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Series: BC857BL
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов