SBC857BLT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
74 руб.
от 100 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
26.97 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
DC Current Gain hFE Max: | 475 at-2 mA, -5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Series: | BC857BL |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов