SBCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
59 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
Power Dissipation | 1.5Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BCP56 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 130МГц |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Package Height | 1.57 |
Mounting | Surface Mount |
Lead Shape | Gull-wing |
Tab | Tab |
Package Width | 3.5 |
Package Length | 6.5 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 25@500mA@2V|25@5mA@2V|40@150mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 130(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Yes |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Supplier Package | SOT-223 |
Pin Count | 4 |
Standard Package Name | SOT-223 |
Military | No |
Pd - рассеивание мощности | 1500 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.57 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 5 mA at 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP56 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.5 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов