SEMiX603GB12E4p, SEMiX603GB12E4p Series IGBT Module, 1.1 kA 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
119 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 119 700 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1.1 kA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | SEMiX®3p |
| Pin Count | 11 |
| Priced to Clear | Yes |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 380 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
