SGP02N120, FastIGBT 1200В 2A TO220

Артикул: SGP02N120
Ном. номер: 796859635
Производитель: Infineon Technologies
SGP02N120, FastIGBT 1200В 2A TO220
Доступно на заказ 495 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
160 руб. × = 800 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 140 руб.
от 25 шт. — 122 руб.
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

IGBT Discretes, Infineon

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.1
Управляющее напряжение,В
4
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
выдерживает 10мкс кз
Корпус

Дополнительная информация

SGP02N120 Fast IGBT in NPT-technology Data Sheet