SI1302DL-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 руб.
от 5 шт. —
66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 640 mA |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Part # Aliases: | SI1302DL-T1-BE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | SI1 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.0062 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
