SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор [SOT-363]
![Фото 1/3 SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC023214974.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs SC70-6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 50 ns |
| Другие названия товара № | SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3- |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 1.5 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
