Мой регион: Россия

SI2304DDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 2.2 В

Ном. номер: 8194923328
PartNumber: SI2304DDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/4 SI2304DDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 2.2 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 SI2304DDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 2.2 ВФото 3/4 SI2304DDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 2.2 ВФото 4/4 SI2304DDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.6 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 2.2 В
33 руб.
5180 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 21 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. По запросу 1 шт. 942 шт.
37 руб. 3-4 недели, 2074 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 29.20 руб.
от 25 шт. — 27.20 руб.
20 руб. 4 дня, 3020 шт. 1 шт. 31 шт.
от 117 шт. — 12 руб.
от 233 шт. — 9.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The SI2304DDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter applications.

• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Тип корпуса
TO-126
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
12 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
235 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.05

Дополнительная информация

Datasheet SI2304DDS-T1-GE3
Datasheet SI2304DDS-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.