SI2306BDS-T1-GE3, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

от 5 шт. — 42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 9000221913

Артикул: SI2306BDS-T1-GE3

МОП-транзистор 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

Id - непрерывный ток утечки	3.16 A
Pd - рассеивание мощности	750 mW
Qg - заряд затвора	3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	47 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	6 ns
Другие названия товара №	SI2306BDS-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.008