SI2323DS, Транзистор P-MOSFET 30В 4.2А 1.4Вт [SOT-23-3]

SI2323DS, Транзистор P-MOSFET 30В 4.2А 1.4Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1646 шт. со склада г.Москва
8 руб.
от 100 шт.7 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001231108
Артикул: SI2323DS
PartNumber: UMW SI2323DS

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 50 мОм/4.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.4
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.4…1.3
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW SI2323DS
pdf, 1793 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.