SI4100DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET 100В 6.8А [SOIC-8]

SI4100DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET 100В 6.8А [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 5 шт.273 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 9000893452
Артикул: SI4100DY-T1-GE3

Описание

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V GS and V DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R g and UIS tested.

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Id - Continuous Drain Current: 6.8 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOIC-8
Part # Aliases: SI4100DY-GE3
Pd - Power Dissipation: 6 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 63 mOhms
Series: SI4
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов