Мой регион: Россия

SI4403CDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -13.4 А, -20 В, 0.0125 Ом, -4.5 В, -400 мВ

Ном. номер: 8217365366
PartNumber: SI4403CDY-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI4403CDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -13.4 А, -20 В, 0.0125 Ом, -4.5 В, -400 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI4403CDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -13.4 А, -20 В, 0.0125 Ом, -4.5 В, -400 мВ
78 руб.
2016 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 67 руб.
от 100 шт. — 47 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
67 руб. 3-4 недели, 26 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 60.30 руб.
от 25 шт. — 59.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The SI4403CDY-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,4 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
40с
Высота
1.55мм
Размеры
5 x 4 x 1.55мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
108 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
20 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
60 nC @ 8 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2380 пФ при 10 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet SI4403CDY-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.