SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8]
![Фото 1/2 SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215988.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V 11A 2.5W
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/11.4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
