SI4431BDY-T1-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 5 шт. —
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V (D-S) 7.5A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 47 ns |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Другие названия товара № | SI4431BDY-E3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | SI4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 70 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SO-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet SI4431BDY-T1-E3
pdf, 161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов