SI4459BDY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт.
на сумму 550 000 руб.
Описание
МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 27.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 5.6 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 81 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0041Ом |
| Power Dissipation | 5.6Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 27.8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 5.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0041Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.9@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SOIC N |
| Typical Fall Time (ns) | 22|10 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 56 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@4.5V|56@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3490@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 6|86 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39|31 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15|34 |
