SI4850EY-T1-E3, 60V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 375 000 руб.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 8.5A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 47mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.3W |
| Pulsed drain current | 40A |
| Technology | TrenchFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
SI4850EY
pdf, 248 КБ
