SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]

SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
71 руб.
от 15 шт.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 руб.
Номенклатурный номер: 9000448316
Артикул: SI5441BDC-T1-GE3

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора 1206
Рассеиваемая Мощность 2.5Вт
Полярность Транзистора P Channel
Напряжение Истока-стока Vds -20В
Непрерывный Ток Стока -6.1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.08Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs 12В
Вес, г 0.01

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов