SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 руб.
от 15 шт. —
65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 71 руб.
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | 1206 |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Полярность Транзистора | P Channel |
Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
Непрерывный Ток Стока | -6.1А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.08Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 8В |
Пороговое Напряжение Vgs | 12В |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 198 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов