SI5908DC-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.4 А, 20 В, 0.032 Ом, 4.5 В, 1 В

PartNumber: SI5908DC-T1-E3
Ном. номер: 8015565245
Производитель: Vishay
SI5908DC-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.4 А, 20 В, 0.032 Ом, 4.5 В, 1 В
Доступно на заказ 489 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
120 руб. × = 120 руб.
от 25 шт. — 103 руб.
от 100 шт. — 79 руб.

Описание

The SI5908DC-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load, battery and PA switch applications.

• TrenchFET® power MOSFET
• Ultra low RDS (ON)
• Excellent power handling in compact footprint

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
ChipFET
Рассеиваемая Мощность
1.1Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
4.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.032Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SI5908DC-T1-E3