SI5908DC-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 4.4 А, 0.032 Ом, ChipFET, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 880 руб.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.9 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | ChipFET-8 |
| Part # Aliases: | SI5908DC-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 68 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 192 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
