SI7120ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 9.5 А, 0.0175 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
288 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
TrenchFET® Gen IV MOSFETs Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 35 S |
Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
Pd - Power Dissipation: | 3.8 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
Rise Time: | 12 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.113 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 86 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 63 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 52 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов