SI7120ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 60 В, 17500 мкОм, 10 В, 2.5 В

PartNumber: SI7120ADN-T1-GE3
Ном. номер: 8146549704
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI7120ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 60 В, 17500 мкОм, 10 В, 2.5 В
Фото 2/2 SI7120ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 60 В, 17500 мкОм, 10 В, 2.5 В
Доступно на заказ 872 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
150 руб. × = 150 руб.
от 25 шт. — 126 руб.
от 100 шт. — 104 руб.

Описание

The SI7120ADN-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and synchronous rectification applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность
3.8Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
9.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0175Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В

Дополнительная информация

Datasheet SI7120ADN-T1-GE3