SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8]
![Фото 1/3 SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
от 25 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 руб.
Описание
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042 Ом/5.7А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 179 КБ
Datasheet Si9435BDY
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
