SIHB17N80E-GE3, MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
550 руб.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 590 000 руб.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 208Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
Техническая документация
Datasheet SIHB17N80E-GE3
pdf, 192 КБ
