SIHD7N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 7 А, 0.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

500 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 348 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 3 000 руб.

Посмотреть аналоги2

Номенклатурный номер: 8288210200

Артикул: SIHD7N60E-GE3

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Id - непрерывный ток утечки	7 A
Pd - рассеивание мощности	78 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	14 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	24 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	2

pdf, 237 КБ

Мы рекомендуем