Мой регион: Россия

SIHF5N50D-E3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8209445244
PartNumber: SIHF5N50D-E3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SIHF5N50D-E3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SIHF5N50D-E3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
150 руб.
1000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 115 руб.
от 100 шт. — 85 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 8 дней, 435 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 98 руб.
от 100 шт. — 73 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.63mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Vishay
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
30 W
Series
D Series
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Height
9.8mm
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet SIHF5N50D-E3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.