SIHF5N50D-E3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 5.3 А, 1.2 Ом, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Мин. кол-во для заказа 10 шт.

от 100 шт. — 195 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 600 руб.

Номенклатурный номер: 8209445244

Артикул: SIHF5N50D-E3

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.3 A
Maximum Drain Source Resistance	1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Series	D Series
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	2