SIHP065N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 40 А, 0.057 Ом, TO-220AB, Through Hole

SIHP065N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 40 А, 0.057 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 5 шт.1 120 руб.
от 10 шт.1 040 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 570 руб.
Номенклатурный номер: 8000484150
Артикул: SIHP065N60E-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.057Ом
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 40А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.057Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 4.9

Техническая документация

Datasheet
pdf, 143 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов