SIHP7N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 600 В, 0.5 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: SIHP7N60E-GE3
Ном. номер: 8613960084
Производитель: Vishay
SIHP7N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 600 В, 0.5 Ом, 10 В, 2 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
335 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 190 руб.
от 100 шт. — 148 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 100 руб.

The SIHP7N60E-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge
• Avalanche energy rated
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Вес
Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Соответствует Фталатам RoHS

Дополнительная информация

Datasheet SIHP7N60E-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.