SIHP7N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 7 А, 0.5 Ом, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 410 руб.

от 100 шт. — 313 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 700 руб.

Номенклатурный номер: 8613960084

Артикул: SIHP7N60E-GE3

Описание Транзистор: N-MOSFET

Id - непрерывный ток утечки:	7 A
Pd - рассеивание мощности:	78 W
Qg - заряд затвора:	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	609 V
Vgs - напряжение затвор-исток:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	4 V
Вид монтажа:	Through Hole
Время нарастания:	13 ns
Время спада:	14 ns
Другие названия товара №:	SIHP7N60E-BE3
Канальный режим:	Enhancement
Категория продукта:	МОП-транзистор
Количество каналов:	1 Channel
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Подкатегория:	MOSFETs
Полярность транзистора:	N-Channel
Производитель:	Vishay
Размер фабричной упаковки:	1000
Серия:	E
Технология:	Si
Тип продукта:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:	24 ns
Типичное время задержки при включении:	13 ns
Торговая марка:	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок:	TO-220AB-3
Упаковка:	Tube
Вес, г	2

pdf, 290 КБ

Мы рекомендуем