Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В ...

SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

81 руб.

от 15 шт. — 72 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 81 руб.

Номенклатурный номер: 9000224972

Артикул: SIR462DP-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	41.7 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	9 ns
Высота	1.04 mm
Длина	6.15 mm
Другие названия товара №	SIR462DP-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	70 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIR
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
Ширина	5.15 mm
Вес, г	0.223