SIRA10BDP-T1-GE3

Фото 1/2 SIRA10BDP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.91 руб.
от 30 шт.84 руб.
от 100 шт.75.93 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 8022931523

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 60 A
Pd - рассеивание мощности 43 W
Qg - заряд затвора 24.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20 ns
Время спада 10 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 68 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SIR
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 25 ns
Типичное время задержки при включении 7 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0023Ом
Power Dissipation 43Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET Gen IV
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 60А
Пороговое Напряжение Vgs 2.4В
Рассеиваемая Мощность 43Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0023Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация