SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

от 5 шт. — 110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 9001337667

PartNumber: SIRA14BDP-T1-GE3

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0037Ом
Power Dissipation	36Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	64А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	36Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0037Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1

pdf, 185 КБ

Мы рекомендуем