SIRA88DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 45.5 А, 0.0054 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

SIRA88DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 45.5 А, 0.0054 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.77 руб.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 3 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001909927
Артикул: SIRA88DP-T1-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0054Ом
Power Dissipation 25Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 45.5А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.4В
Рассеиваемая Мощность 25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0054Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 396 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов