Добавить к сравнению Сравнить ()

SPB20N60C3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 0.19 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8504334517
PartNumber: SPB20N60C3ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 SPB20N60C3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 0.19 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SPB20N60C3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 0.19 Ом, 10 В, 3 В
650 руб.
1122 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 491 руб.
от 100 шт. — 393 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
510 руб. 8 дней, 20 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 410 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The SPB20N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Improved transconductance
• Low specific ON-state resistance
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
• Field proven CoolMOS™ quality
• Periodic avalanche rated
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.31mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
208 W
Series
CoolMOS C3
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
11.05mm
Height
4.57mm
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet SPB20N60C3ATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.