SPB20N60C3ATMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
550 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 550 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
600V 20.7A 190mΩ@13.1A,10V 208W 3.9V@1mA null TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 20.7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@13.1A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.9V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.4nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 208W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 114nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
