SPP07N60C3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 2 шт. —
620 руб.
от 5 шт. —
544 руб.
от 10 шт. —
506.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 650V, 7.3A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | SPP07N60C3 SP000681030 |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Series: | CoolMOS C3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 659 КБ
Datasheet SPP07N60C3, SPI07N60C3, SPA07N60C3
pdf, 702 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
