SPP11N60C3, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]

Артикул: SPP11N60C3
PartNumber: SP000681040 SPP11N60C3XKSA1
Ном. номер: 490257239
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 SPP11N60C3, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]
Фото 2/3 SPP11N60C3, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]Фото 3/3 SPP11N60C3, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
130 руб. × = 130 руб.
от 5 шт. — 96 руб.
от 50 шт. — 94 руб.
Цена и наличие в магазинах


Infineon CoolMOS™ Power MOSFET Family

This Range of MOSFET Transistors by Infineon combines all benefits of fast switching Superjunction MOSFETs with the ease of use. Such as low area specific on-state resistance and reduced energy stored in output capacitance, the 500V CoolMOS™ CE series provides a high body diode ruggedness, achieves extremely low conduction and switching losses and can make switching applications more efficient, more compact, lighter and cooler.

Reduced energy stored in output capacitance
High body diode ruggedness (E oss)
Reduced reverse recovery charge (Q rr)
Reduced gate charge (Q g)
Easy control of switching behaviour

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

SPP11N60C3 datasheet
pdf, 376 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SPP11N60C3 SP000681040 SPP11N60C3XKSA1
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов