SQJ422EP-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET 40В 75A 83Вт [PPAK SO-8]
![SQJ422EP-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET 40В 75A 83Вт [PPAK SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 5 шт. —
497 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 74A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 20V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
