STD2LN60K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10000 шт., срок 8-10 недель
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,26А, 45Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Series: | STD2LN60K3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1050 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
