STS8DN3LLH5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 390 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.5 mOhms |
| Rise Time: | 4.2 ns |
| Series: | STS8DN3LLH5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -22 V, +22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0155Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0155Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2.7Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET V Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 10А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.7Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0155Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
