STT2200N18P55XPSA1, Thyristor Diode Module, Series Connected- SCR, 1.8kV, 21A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 95 790 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Тиристоры - Модули SCR
Дискретные полупроводниковые модули
Технические параметры
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.8кВ |
| Thyristor Mounting | Panel |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 1.8кВ |
| Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 2В |
| Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt | 200мА |
| Максимальный Ток Удержания Ih | 300мА |
| Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 1.8кВ |
| Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 21А |
| Стиль Корпуса Тиристора | Модуль |
| Другие названия товара № | IPT60R125CFD7 SP005346348 |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet STT2200N18P55XPSA1
pdf, 920 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ
