SUM55P06-19L-E3, 60V 55A 125W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Кратность заказа 800 шт.
от 1600 шт. —
310 руб.
от 2400 шт. —
279 руб.
от 4800 шт. —
273.68 руб.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 256 000 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой SUM55P06-19L-E3 от производителя VISHAY – высококачественный компонент для современной электроники. Этот N-MOSFET предназначен для SMD-монтажа, обладая стоковым током в 55 А и напряжением сток-исток в 60 В, он идеально подходит для различных силовых применений. С мощностью 3,75 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,019 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и производительность при минимальных потерях мощности. Корпус TO263 гарантирует удобство интеграции в печатные платы. Вашему вниманию представлен надежный компонент с кодом SUM55P06-19L-E3, который станет прекрасным выбором для улучшения электронных схем. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 55 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 3.75 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.019 |
| Корпус | TO263 |
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Drain current | -31A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Gate charge | 115nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 41mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 55 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 19@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3750 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 3.75 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 150 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 1 |
| Typical Fall Time (ns) | 230 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 76 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 76@10V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 4.4 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 19 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 16 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3500@25V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 390 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 59 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 45 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 290@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 80 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.75 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
