TIP41BG, 80V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT

TIP41BG, 80V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Номенклатурный номер: 8017646475
Артикул: TIP41BG

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 30
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 50
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 65 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 2.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 286 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов