TIP41BG, 80V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 6 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 50 |
Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 6 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 65 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 2.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов