TK100L60W,VQ(O, MOSFET, N-CH, 600V, 100A, TO-3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
394 шт., срок 7-9 недель
7 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 490 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
Power Dissipation | 797Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 100А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары