TK25E60X,S1X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 8-10 недель
820 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 280 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | DTMOSIV |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Width | 4.45mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK25E60X,S1X
pdf, 247 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
