TSM2306CX RFG, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2306CX RFG

Фото 1/3 TSM2306CX RFG, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2306CX RFG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9225 шт., срок 7 недель
67 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 1 675 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8705322261
Артикул: TSM2306CX RFG

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой TSM2306CX RFG от производителя TAIWAN SEMICONDUCTORS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для поверхностного монтажа (SMD). Способен выдерживать ток стока до 3,5 А и напряжение сток-исток до 30 В. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,057 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных электронных устройствах. Упакованный в компактный корпус SOT23, TSM2306CXRFG легко интегрируется в микросхемы, обеспечивая надежность и долговечность вашей электроники. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 3.5
Напряжение сток-исток, В 30
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.057
Корпус SOT23

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 3.5 A
Maximum Drain Source Resistance 94 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.25 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 4.2 nC @ 10 V
Width 1.7mm
Вес, г 7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TSM2306CX RFG
pdf, 238 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.