TSM2306CX RFG, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2306CX RFG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9225 шт., срок 7 недель
67 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 1 675 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой TSM2306CX RFG от производителя TAIWAN SEMICONDUCTORS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для поверхностного монтажа (SMD). Способен выдерживать ток стока до 3,5 А и напряжение сток-исток до 30 В. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,057 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных электронных устройствах. Упакованный в компактный корпус SOT23, TSM2306CXRFG легко интегрируется в микросхемы, обеспечивая надежность и долговечность вашей электроники. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.5 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.057 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 94 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
Width | 1.7mm |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TSM2306CX RFG
pdf, 238 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.