UMD6NFHATR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN and PNP Complement, 50 В, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм

Фото 1/2 UMD6NFHATR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN and PNP Complement, 50 В, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1430 шт., срок 8-10 недель
89 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.42 руб.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 670 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004137547
Артикул: UMD6NFHATR
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT PNP+NPN DIGITAL TRANS

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Collector Emitter Voltage Max PNP 50В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 100hFE
Power Dissipation 150мВт
Количество Выводов 6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора SOT-363
Линейка Продукции UMD6N Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Полярность Транзистора NPN and PNP Complement
Полярность Цифрового Транзистора NPN и PNP
Резистор На входе Базы R1 4.7кОм
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 600
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V, 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V, 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 300 V, 300 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V, 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA, 100 mA
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-363-6
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet UMD6NFHATR
pdf, 1621 КБ
Datasheet UMD6NFHATR
pdf, 1625 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.