VEMT2023X01, Фототранзистор, 860 нм, 70 °, 2 вывод(-ов), SMD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
87 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Фототранзистор Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD T / R
Технические параметры
Automotive | Yes |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 35 |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 20 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 7 |
Maximum Light Current (uA) | 4100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 860 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | Unknown |
Standard Package Name | SMD |
Supplier Package | SMD |
Type | Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Half Intensity Angle Degrees - (??) | 35 |
Maximum Collector Current - (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | 0.4 |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 20 |
Maximum Dark Current - (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage - (V) | 7 |
Maximum Light Current - (uA) | 4100 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 100 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -40~100 |
Peak Wavelength - (nm) | 860 |
Вес, г | 0.181 |
Техническая документация
Datasheet VEMT2023X01
pdf, 204 КБ
Документация
pdf, 199 КБ