VNS1NV04DPTR-E, IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape

Фото 1/3 VNS1NV04DPTR-E, IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
149 шт., срок 7 недель
460 руб.
от 10 шт.310 руб.
от 30 шт.261 руб.
от 100 шт.217.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8020311347
Артикул: VNS1NV04DPTR-E
Бренд: STMicroelectronics

Описание

The OMNIFET series of fully auto-protected low-side drivers, are measured on the criteria of ruggedness and improved reliability.

Технические параметры

Mounting Type Surface Mount
Package Type SOIC
Pin Count 8
Brand: STMicroelectronics
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 600 ns
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Operating Supply Current: 150 uA
Output Current: 1.7 A
Package / Case: SOIC-8
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: MOSFET Gate Drivers
Qualification: AEC-Q100
Rise Time: 500 ns
Series: VNS1NV04DP-E
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 24 V
Technology: Si
Type: Low-Side
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 379 КБ
Datasheet
pdf, 363 КБ
Datasheet VNS1NV04DP
pdf, 384 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.