WG50N65DHWQ, IGBT, 650V, 91A, 150DEG C, 278W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 8-10 недель
890 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
800 руб.
от 100 шт. —
603 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 670 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 91А |
Power Dissipation | 278Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 11.51 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.