WG50N65DHWQ, IGBT, 650V, 91A, 150DEG C, 278W

WG50N65DHWQ, IGBT, 650V, 91A, 150DEG C, 278W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 шт., срок 8-10 недель
890 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.800 руб.
от 100 шт.603 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 670 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008831709
Артикул: WG50N65DHWQ

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 91А
Power Dissipation 278Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 11.51

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.