ZTX751, Транзистор [TO-92]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 руб.
от 5 шт. —
34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 руб.
Описание
HIGH GAIN TRANSISTOR, PNP, -60V, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V, Transition Frequency ft:140MHz, Power Dissipation Pd:1W, DC Collector Current:-2A, DC Current Gain hFE:200hFE, No. of Pins:3Pins , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 280 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -2 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 2 A |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | ZTX751 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов