BSH203,215, Транзистор полевой P-канальный 30В 470мА, 0.17Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21709 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
26 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 191 шт. —
21 руб.
от 381 шт. —
19 руб.
от 762 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 468 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 30В 470мА, 0.17Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 470 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.68V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 417 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.