Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V, 24-Pin SMPD ...

N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 550 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 550 руб.

Номенклатурный номер: 8000219641

Артикул: MMIX1T600N04T2

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Описание Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	600 A
Maximum Drain Source Resistance	1.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	830 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SMPD
Pin Count	24
Series	GigaMOS, HiperFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	590 nC @ 10 V
Width	23.25mm
Id - непрерывный ток утечки	600 A
Pd - рассеивание мощности	830 W
Qg - заряд затвора	590 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	20
Серия	MMIX1T600N04
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SMPD-24
Вес, г	1