IRF9321PBF, транзистор Pкан -30В -15А SO8
см. техническую документацию
Описание
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.
Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.
В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Корпус | so8 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 30 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -2.4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 11.2 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Design Resources | IRF9321PBF Saber ModelIRF9321PBF Spice Model | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Family | FETs-Single | |
| FET Feature | Standard | |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2590pF @ 25V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Online Catalog | P-Channel Logic Level Gate FETs | |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) | |
| Packaging | Tube | |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN Packaging | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| Power - Max | 2.5W | |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V | |
| Series | HEXFET® | |
| Standard Package | 95 | |
| Supplier Device Package | 8-SO | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA | |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
